SAMSUNG SAMSUNG 内蔵SSD 990 EVO [2TB /M.2]「バルク品」 MZ-V9E2T0B-IT MZ-V9E2T0B-IT

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SAMSUNG 内蔵SSD 990 EVO [2TB /M.2]「バルク品」 MZ-V9E2T0B-IT

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コジマネット価格 :
19,980 円(税込)
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パソコン・小型家電リサイクル

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●回収品目
・パソコン、携帯電話、ビデオ、オーディオ、キッチン家電、生活家電など400品目以上が対象です。箱に入れば、何点入れても同一料金です。

※箱のご用意はお客様にてお願いします。
※こちらの商品は配送時にお手元品の回収はいたしません。
※本商品到着後に別途リネットジャパンへ回収品のお申込みをお願いいたします。

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コジマカード(Oricoクレジットカード)、便利でお得なショッピングローン(Orico Webクレジット)のご利用が可能です。

ご注文金額が15,000円以上でご利用いただけます。
月々の分割最低お支払金額は3,000円以上となります。
※コジマ店舗とは条件が異なります。

商品概要

●先を行くスピード
990 EVOは、最大5,000/4,200 MB/秒に強化されたシーケンシャル読み出し/書き込み速度と、最大 700K/800K IOPSのランダム読み出し/書き込み速度を実現し、970 EVO Plus 2TBより最大43% 高速です。
ゲームの待ち時間が短縮され、大容量ファイルにすばやくアクセスできます。
●進化した電力効率
電源を入れたまま使い続けましょう。
前モデルに比べて電力効率が70%改善され、バッテリー残量を心配することなく、より長くコンピューティング作業を行うことができます。
また、モダンスタンバイに対応しており、低消費電力状態でもインターネットへの接続を維持しながら通知を受けることができます。
※970 EVO Plusシーケンシャル読み出し/書き込み - 636/550 MB/ワット、990 EVOシーケンシャル読み出し/書き込み - 1,020/933 MB/ワット (1TB モデルの内部テスト結果に基づく)
※モダンスタンバイの詳細については、マイクロソフト社のウェブサイトをご確認ください。
●スマートな放熱
990 EVOのヒートスプレッダーラベルは、NANDチップの熱制御をサポートします。
サムスンの最先端の熱制御アルゴリズムとダイナミックサーマルガードを組み合わせ、安定したパフォーマンスを維持します。
ドライブの過熱を抑えつつ、ハイパフォーマンスを実現しましょう。
●あらゆるタスクに適した柔軟性
1台のSSDですべてのタスクを実行します。
パフォーマンスを向上させ、ゲーム、ビジネス、クリエイティブな仕事の要求に応えます。
最新のPCIe(R) 4.0 x4およびPCIe(R) 5.0 x2インターフェイスをサポートしており、将来のコンピューティングへの柔軟性も提供します。
●Samsung Magician ソフトウェア
Samsung Magicianソフトウェアは、内蔵SSD、ポータブルSSD、メモリカード、USBフラッシュドライブなどのSamsung製メモリストレージ製品をサポートする為に設計されたユーティリティソフトウェアです。
最新バージョンMagicianソフトウェアは、これまで別ソフトとして存在していたSamsung Data Migrationソフトウェア(データ移行ソフト)を統合し、ユーザーにとって包括的なソリューションに生まれ変わりました。
また、大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、最新のファームウェアのアップデートを入手します。
●イノベーションを生み出す原動力
サムスンのNAND型フラッシュメモリは、何十年にもわたり私たちの暮らし方を変えた画期的な技術を支えてまいりました。
このNAND型フラッシュ技術は、当社のコンシューマSSDにも搭載され、次世代イノベーションの道を切り開いています。
商品名 SAMSUNG 内蔵SSD 990 EVO [2TB /M.2]「バルク品」 MZ-V9E2T0B-IT
型番 MZ-V9E2T0B-IT
メーカー SAMSUNG
メーカー希望小売価格 オープン価格
メーカー発売日 2024年01月31日
メーカー保証年数 5年

商品の詳細規格

本体サイズ(幅×高さ×奥行)mm 80.15 × 2.38 × 22.15mm (最大値)
容量 2TB
最大記憶容量 2TB
付属品 [添付品]インストールガイド&保証情報
[ソフトウェア]Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応
仕様1 [インターフェース(転送速度・規格値)]PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2、NVMe 2.0
[フォームファクタ]M.2 (2280)
[搭載デバイス]
 NANDフラッシュ:Samsung V-NAND TLC
 コントローラ:Samsung 自社製コントローラ
 キャッシュメモリ:HMB (Host Memory Buffer)
[シーケンシャル]読み出し:5000MB/s、書き込み:4200MB/s
仕様2 [ランダム(QD1 Thread1)]読み出し:20000IOPS、書き込み:90000IOPS
[ランダム(QD32 Thread16)]読み出し:700000IOPS、書き込み:800000IOPS
[消費電力]
 動作時(平均):読み出し 5.5W、書き込み 4.7W
 待機時:60mW
 L1.2モード時:5mW
[使用環境]
 温度範囲:動作時:0~70°C 非動作時:-40~85°C
 湿度範囲:5~95%(結露なきこと)
仕様3 [耐久性]
 耐衝撃性:非動作時 1500G、0.5ms期間、3軸
 耐振動性:非動作時 20~2000Hz、20G
 MTBF(平均故障間隔):150万時間
[各種機能]
 TRIMサポート:○ ※OSが対応している場合
 ガベージコレクション:○
 S.M.A.R.T(自己診断機能):○
 セキュリティ:AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive (IEEE1667)
[TBW]1200TB

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